DRAM ETF: มีหุ้นอะไรอยู่ในพอร์ต และเหตุใดจึงได้รับความนิยมอย่างมาก?

เปิดตัวในฤดูใบไม้ผลิปี 2026 ในฐานะ ETF แรกที่มุ่งเน้นเฉพาะหุ้นกลุ่มหน่วยความจำ¹ กองทุน Roundhill Memory ETF (สัญลักษณ์: DRAM*) ได้สร้างความฮือฮาให้กับตลาดวอลล์สตรีท ปัจจุบันกองทุนนี้มีสินทรัพย์ภายใต้การบริหาร (Assets Under Management: AUM) อยู่ที่ประมาณ 25 พันล้านดอลลาร์สหรัฐ¹ – มากกว่า AUM ของ Roundhill Magnificent Seven ETF¹ ถึงประมาณหกเท่า

หากคุณกำลังสงสัยว่ามีหุ้นตัวใดบ้างอยู่ใน DRAM ETF* กองทุนนี้ทำงานอย่างไร และกระแสความนิยมนี้สมเหตุสมผลหรือไม่ คุณมาถูกที่แล้ว ในบทความนี้ เราจะพาไปเจาะลึก:

• DRAM ETF* คืออะไร และเจาะกลุ่มอุตสาหกรรมหน่วยความจำอย่างไร
• หุ้นสำคัญและผู้เล่นรายใหญ่ที่ประกอบเป็นการถือครองหลักของกองทุน
• เหตุใดกองทุนนี้จึงได้รับความนิยมอย่างรวดเร็ว
• ความเสี่ยงที่อาจเกิดขึ้นซึ่งควรพิจารณา

DRAM ETF คืออะไร?

DRAM Memory ETF* – หรือมักเรียกสั้นๆ ว่า "DRAM" – เป็นกองทุนที่มุ่งเน้นหุ้นกลุ่มหน่วยความจำจาก Roundhill Investments ออกแบบมาเพื่อให้นักลงทุนเข้าถึงบริษัทเซมิคอนดักเตอร์ที่ผลิตและจัดหาหน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มแบบไดนามิก (Dynamic Random-Access Memory: DRAM) หน่วยความจำแฟลชแบบ NAND (NAND flash memory) และหน่วยความจำแบบแบนด์วิดท์สูง (High-Bandwidth Memory: HBM)

กองทุนนี้จดทะเบียนซื้อขายในตลาดหลักทรัพย์ Cboe และบริหารจัดการเชิงรุก (actively managed) ในด้านผลตอบแทน กองทุนให้ผลตอบแทนประมาณ 160%¹ นับตั้งแต่เปิดตัวเมื่อวันที่ 2 เมษายน 2026

DRAM ETF มีหุ้นอะไรอยู่ในพอร์ตบ้าง?

ปัจจุบัน DRAM ETF มีหุ้นกลุ่มหน่วยความจำที่แตกต่างกัน 21 ตัวอยู่ในพอร์ต¹ หุ้นเหล่านี้มาจากหลายประเทศ ได้แก่ สหรัฐอเมริกา เกาหลีใต้ ไต้หวัน และญี่ปุ่น

Micron, Samsung และ SK Hynix – หุ้นกลุ่มหน่วยความจำ "บิ๊กทรี" – ครองสัดส่วนหลักในกองทุนนี้ คิดเป็นประมาณ 75% ของพอร์ต¹ การถือครองอื่นๆ ได้แก่ Seagate, Western Digital, SanDisk และ Kioxia¹

หุ้น 5 อันดับแรกที่ถือครองใน DRAM Memory ETF มีอะไรบ้าง?

ณ วันที่ 21 กรกฎาคม 2026 การถือครองสูงสุด 5 อันดับแรก¹ ใน DRAM ETF ได้แก่:

• Micron Technology (27% ของพอร์ต)
• Samsung Electronics (26%)
• SK Hynix (22%)
• Seagate Technology Holdings (5%)
• Western Digital (5%)

แหล่งที่มา: Roundhill Investments, DRAM Memory ETF, ณ วันที่ 21 กรกฎาคม 2026

DRAM มีการบริหารจัดการอย่างไร?

DRAM เป็น ETF ที่บริหารจัดการเชิงรุก กองทุนใช้กระบวนการคัดเลือกหุ้นแบบเฉพาะของตนเอง โดยพิจารณาจากส่วนแบ่งตลาดและรายได้ที่เกี่ยวข้องกับอุตสาหกรรม พร้อมกำหนดน้ำหนักในพอร์ตตามมูลค่าหลักทรัพย์ตามราคาตลาดแบบปรับปรุง (modified market-cap) โดยจำกัดเพดานไม่เกิน 25% สำหรับบริษัทใดบริษัทหนึ่ง¹

เพื่อดำเนินกลยุทธ์การลงทุนเชิงรุก กองทุนอาจถือครองหุ้นหรือตราสารอนุพันธ์ เช่น สัญญาสวอป (Swap) หรือสัญญาซื้อขายล่วงหน้า (Forward) การปรับสมดุลพอร์ต (Rebalancing) จะเกิดขึ้นอย่างน้อยทุกไตรมาส¹

เหตุใด DRAM ETF จึงได้รับความนิยมอย่างมาก?

DRAM ETF ได้รับความนิยมจากนักลงทุนด้วยเหตุผลหลายประการ ประการหนึ่งคือกองทุนนี้เป็นวิธีที่ง่ายในการเข้าถึงธีมการลงทุนด้านหน่วยความจำ

อีกเหตุผลหนึ่งคือกองทุนนี้ช่วยให้เข้าถึงบริษัทหน่วยความจำยักษ์ใหญ่ของเกาหลีใต้ เช่น SK Hynix และ Samsung ได้ ซึ่งช่วยขจัดความยุ่งยากที่เกี่ยวข้องกับการลงทุนในหุ้นต่างประเทศ

ผลการดำเนินงานที่แข็งแกร่งก็เป็นอีกปัจจัยที่สร้างความสนใจในผลิตภัณฑ์นี้ นับตั้งแต่เปิดตัว กองทุนให้ผลตอบแทนประมาณ 160%¹

นอกจากนี้ ยังมีข้อเท็จจริงที่ว่าบริษัทหน่วยความจำส่วนใหญ่กำลังเติบโตอย่างมากในขณะนี้ ด้วยปัญญาประดิษฐ์เชิงสร้างสรรค์ (Generative AI) ที่สร้างความต้องการหน่วยความจำสูง บริษัทอย่าง Micron และ SK Hynix จึงมีการเติบโตของรายได้และกำไรอย่างมหาศาล

แหล่งที่มา: Google Finance, ณ วันที่ 22 กรกฎาคม 2026

DRAM เป็น AI ETF หรือไม่?

หน่วยความจำได้กลายเป็นหนึ่งในองค์ประกอบที่สำคัญที่สุดในห่วงโซ่อุปทานโครงสร้างพื้นฐานด้าน AI ทั้งหมด โมเดล Generative AI ไม่ได้ต้องการเพียงพลังการประมวลผลเท่านั้น แต่ยังต้องการหน่วยความจำแบบแบนด์วิดท์สูง (HBM) ในปริมาณมหาศาลเพื่อป้อนข้อมูลให้กับชิปเร่งความเร็ว (accelerator chips) อย่างรวดเร็ว ช่วยให้โมเดลสามารถวิเคราะห์ชุดข้อมูลที่ซับซ้อนได้แบบเรียลไทม์

เมื่อพิจารณาถึงบทบาทของหน่วยความจำในห่วงโซ่อุปทาน AI แล้ว DRAM อาจถือได้ว่าเป็น AI ETF อย่างไรก็ตาม กองทุนนี้ไม่ใช่ AI ETF แบบกว้างขวาง เนื่องจากให้การเข้าถึงเพียงพื้นที่เฉพาะด้านหนึ่งของตลาดปัญญาประดิษฐ์เท่านั้น

ความเสี่ยงของ DRAM มีอะไรบ้าง?

มีความเสี่ยงหลายประการที่ควรตระหนักเกี่ยวกับ DRAM ETF ประการหนึ่งคือความต้องการหน่วยความจำในอดีตมีลักษณะเป็นวัฏจักรอย่างมาก ดังนั้น แม้ว่าความต้องการในปัจจุบันจะสูง แต่ก็ไม่มีการรับประกันว่าสภาวะเช่นนี้จะคงอยู่ต่อไป เมื่อมองไปข้างหน้า ความต้องการอาจชะลอตัวลงหากผู้ให้บริการคลาวด์ขนาดใหญ่ (hyperscalers) ลดการใช้จ่ายด้าน AI และ/หรือระบบ AI มีประสิทธิภาพมากขึ้น

พลวัตของอุปสงค์และอุปทานในอุตสาหกรรมเป็นความเสี่ยงสำคัญอีกประการหนึ่งที่ควรพิจารณา ปัจจุบันความต้องการหน่วยความจำสูงกว่าปริมาณอุปทานอย่างมาก อย่างไรก็ตาม อุปทานอาจตามทันได้ในบางช่วงเวลา ซึ่งอาจส่งผลให้บริษัทในอุตสาหกรรมมีอำนาจในการกำหนดราคาลดลง

ความเสี่ยงจากการกระจุกตัวของพอร์ตก็เป็นอีกปัจจัยเสี่ยงหนึ่งเช่นกัน สำหรับ ETF นี้ ประมาณ 75% ของพอร์ตถูกจัดสรรให้กับหุ้นเพียงสามตัว ได้แก่ Micron, Samsung และ SK Hynix ซึ่งหมายความว่าความเสี่ยงเฉพาะหุ้น (stock-specific risk) อยู่ในระดับสูง หากหุ้นตัวใดตัวหนึ่งหรือมากกว่านั้นมีผลการดำเนินงานต่ำกว่าที่คาดไว้อย่างมีนัยสำคัญ ผลการดำเนินงานโดยรวมของกองทุนอาจได้รับผลกระทบ

สุดท้ายนี้ นักลงทุนควรตระหนักว่าหุ้นกลุ่มหน่วยความจำมีความผันผวนสูงในช่วงที่ผ่านมา หุ้นเหล่านี้มักมีการเคลื่อนไหวในหนึ่งวันถึง 5-10% ซึ่งถือเป็นเรื่องปกติ ความผันผวนนี้สะท้อนอยู่ในราคาหุ้นของ DRAM แม้ว่าราคาจะปรับตัวสูงขึ้นอย่างมากนับตั้งแต่เปิดตัวผลิตภัณฑ์ แต่ก็มีความผันผวนสูงในบางช่วงเวลา

เชิงอรรถ:

¹Roundhill Investments, DRAM Memory ETF, ณ วันที่ 22 กรกฎาคม 2026

*Trust และ Adviser ไม่มีความเกี่ยวข้องกับ Roundhill ETF Trust, Roundhill Memory ETF (DRAM), Roundhill Investments, Roundhill Financial Inc. หรือ Exchange Traded Concepts, LLC ทั้ง Trust, Adviser หรือบริษัทในเครือของทั้งสองฝ่ายไม่ได้อ้างสิทธิ์ความเป็นเจ้าของในเครื่องหมายการค้าใดๆ ที่เป็นของ Roundhill ETF Trust, DRAM, Roundhill Investments, Roundhill Financial Inc. หรือ Exchange Traded Concepts, LLC หรือบริษัทในเครือ สิทธิ์ทั้งหมดในเครื่องหมายการค้าเป็นของเจ้าของที่เกี่ยวข้องตามลำดับ